Самое обсуждаемое

TikTok: как накрутить лайки

TikTok – популярная сегодня социальная сеть, где пользователи могут делиться интересными видео, сопровождаемые музыкой, писать друг другу сообщения и проводить прямые эфиры. Как в ТикТок, так и в других социальных сетях существует одно золотое правило – чем больше подписчиков и лайков, тем популярней аккаунт. Получить лайки и подписчиков можно несколькими способами.

7-нм EUV-техпроцесс Samsung обеспечит удвоенную энергоэффективность

7-нм EUV-техпроцесс Samsung обеспечит удвоенную энергоэффективность

На днях Samsung подтвердила планы использования сканеров EUV для выпуска DRAM. А во время конференции VLSI раскрыла подробности о своей 7-нм технологии, основанной на EUV. Новая литография предлагает широкий спектр преимуществ для чипов компании, которые, как ожидалось, могут появиться уже в Galaxy S10. Samsung собирается первой на рынке начать применение технологии EUV, сулящей ряд выгод по сравнению с традиционными инструментами, поставляемыми ASML или Nikon.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Сегодня литографические инструменты используют свет с длиной волны 193 нм. EUV (фотолитография в глубоком ультрафиолете) — следующее поколение инструментов печати чипов, оснащённых сканерами с длиной волны 13,5 нм. Например, новые сканеры уже позволили Samsung создать самые маленькие FinFET-транзисторы в мире. В целом новый 7-нм техпроцесс компании, как сообщает корейский производитель, позволяет на 40 % увеличить плотность логики чипов по сравнению с её 10-нм нормами, используемыми в Snapdragon 845 и Exynos 9810.

Это не единственное преимущество: Samsung говорит о повышении на 70 % точности фотошаблонов, что позволяет сократить количество циклов обработки и, соответственно, заметно снизить себестоимость. По сравнению со 193-нм сканерами новое EUV-оборудование от ASML также помогает быстрее наращивать долю выхода годных кристаллов, что тоже увеличивает экономию.

7-нм EUV-техпроцесс Samsung обеспечит удвоенную энергоэффективность

Уже сейчас корейский гигант добился производства 256-Мбит тестовых кристаллов SRAM с использованием 7-нм норм с долей выхода годных чипов более 50 процентов. Кроме того, компания отпечатала полностью работоспособную 7-нм однокристальную систему с четырёхъядерным CPU и шестиядерным GPU. Samsung говорит, что новые 7-нм нормы EUV обеспечивают рост производительности на 20–30 % или снижение энергопотребления на 30–50 % (то есть до двух раз).

К сожалению, процесс перехода от рискового производства в этом году до полноценной массовой печати кристаллов может занять у Samsung 12 месяцев и даже более. Другими словами, не стоит рассчитывать, что новый флагманский кристалл Samsung, который придёт на смену Exynos 9820, будет произведён с соблюдением 7-нм норм EUV. По-видимому, в Galaxy S10 будет использоваться чип на базе 8-нм LPP техпроцесса Samsung — такой же применяется якобы в производстве Snapdragon 730. Кстати, Samsung подтвердила, что может перевести чипы Qualcomm с 10-нм FinFET-печати на 8-нм техпроцесс, так что вполне можно ждать анонса ряда новых 8-нм процессоров Snapdragon.

Тем временем TSMC придерживается другого подхода в освоении 7-нм норм: тайваньская компания опирается на отработанные литографические инструменты вместо освоения ULV-сканеров. За счёт этого её техпроцесс CLN7FF уже готов к массовому производству, а к концу года ожидается, что количество 7-нм продуктов, достигших стадии tapeout, превысит 50 и будет включать однокристальные системы, серверные CPU, графические и ИИ-ускорители, FPGA и сетевые процессоры. Одним из них выступает, по слухам, Apple A12, который появится в новых iPhone.

7-нм EUV-техпроцесс Samsung обеспечит удвоенную энергоэффективность

Источник

Разделы сайта


Полезные статьи

Финансовые загадки: как работают микрокредиты на 50000 рублей

Варианты эпитафий для надгробия блогеру

Что дает обучение работе на маркетплейсах

Развитие информационного Телеграм-канала на тему обучения за рубежом

Экспертное руководство по ставкам на Лигу чемпионов

Значение количества просмотров в Телеграмме

Отчеты по Википедии


Характеристики масторога

Характеристики масторога M2DXLGJENQV67FS

Характеристики масторога L0G59IWOBS1TFU6

Характеристики масторога MI3HVP6DNQ482YL

Характеристики масторога HUFTESXZRWOLJ9V

Характеристики масторога 3F91JNCY5LGKDMX

Характеристики масторога EMTSCKZR40I728J

Характеристики масторога 86S2490WHO7BXNR

Характеристики масторога EZ3IPAD5K7QCJY2

Характеристики масторога 3FOHV7WYJQM20S5

Характеристики масторога V26WMDRUCI1TBE7