Самое обсуждаемое

TikTok: как накрутить лайки

TikTok – популярная сегодня социальная сеть, где пользователи могут делиться интересными видео, сопровождаемые музыкой, писать друг другу сообщения и проводить прямые эфиры. Как в ТикТок, так и в других социальных сетях существует одно золотое правило – чем больше подписчиков и лайков, тем популярней аккаунт. Получить лайки и подписчиков можно несколькими способами.

Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»

Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»

К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec подготовил два связанных документа, в которых раскрыл варианты производства транзисторных структур с технологическими нормами менее 5 нм. Данная разработка призвана преодолеть фундаментальное ограничение, связанное с необходимостью уменьшать размеры транзисторных элементов. По мере снижения размеров элементов, в частности — сечения транзисторных каналов, снижаются также максимально допустимые значения токов, которые можно пропускать через транзистор.

Схематическое изображение транзисторных каналов в поперечном сечении: а) FinFET, б) нанопровода, в) наностраницы

Чтобы продолжить уменьшать размеры транзисторов и не терять в производительности решений, Imec предлагает в качестве материала канала транзистора использовать не кремний, а германий. В первом документе исследователи с цифрами на руках доказали ценность практического использования германия в каналах полевых транзисторов с p-проводимостью (pFET) для техпроцессов с нормами менее 5 нм. При этом канал транзистора выполняется в виде нанопроводника (nanowire).

К сожалению, даже выполненный из германия один нанопроводной канал не может обеспечить достаточных токовых характеристик для транзисторов требуемой функциональности. Поэтому во втором документе исследователи рассказывают о кольцевых затворах вокруг нанопроводников-каналов (gate-all-around) и о технологии стековой компоновки каналов, когда каждый транзисторный канал представляет собой совокупность нескольких уложенных друг на друга нанопроводников-каналов каждый со своим кольцевым затвором. Суммарное сечение всех каналов оказывается достаточным, чтобы не создавать току высокого сопротивления. Также в такой стековой конструкции паразитная ёмкость оказывается меньше, чем если бы у транзистора был один общий канал.

Для техпроцессов с нормами менее 5 нм Imec предложила «нанотранзистор»

Реальное изображение сечения транзисторных каналов с затворами вокруг наностраниц (IBM, техпроцесс 5 нм)

Ещё одна тонкость заключается в том, что в качестве материала для канала используется не просто германий, а так называемый напряжённый германий. Это не новая технология, её для кремния используют все производители процессоров. Смысл этого действа — растянуть атомарную решётку материала и улучшить мобильность передвижения электронов. Тем самым германий, который и так обладает лучшей мобильностью электронов, чем кремний, становится ещё лучше.

Всё выше сказанное специалисты Imec воплотили в «железе», создав и продемонстрировав полевой транзистор p-типа с кольцевым затвором и каналом из нанопроводов. Правда, для этого была использована производственная платформа 14/16 нм. Но принцип понятен и он работает. Партнёрами центра по этой программе выступают компании GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, Samsung, SK Hynix, Sony Semiconductor Solutions, TOSHIBA Memory, TSMC и Western Digital, чьи имена говорят сами за себя.

Источник

Разделы сайта


Полезные статьи

Характеристика казино 777

Нюансы начисления и вывода призовых сумм

Почему лучше сотрудничать с официальными букмекерскими конторами

Игра без рисков и первые подарки для участников

Бонусы и подарки каждому беттору

What Does a Perfect App Store Screenshot Look Like?

Отчеты по Википедии


Характеристики масторога

Характеристики масторога M2DXLGJENQV67FS

Характеристики масторога L0G59IWOBS1TFU6

Характеристики масторога MI3HVP6DNQ482YL

Характеристики масторога HUFTESXZRWOLJ9V

Характеристики масторога 3F91JNCY5LGKDMX

Характеристики масторога EMTSCKZR40I728J

Характеристики масторога 86S2490WHO7BXNR

Характеристики масторога EZ3IPAD5K7QCJY2

Характеристики масторога 3FOHV7WYJQM20S5

Характеристики масторога V26WMDRUCI1TBE7