Самое обсуждаемое
TikTok – популярная сегодня социальная сеть, где пользователи могут делиться интересными видео, сопровождаемые музыкой, писать друг другу сообщения и проводить прямые эфиры. Как в ТикТок, так и в других социальных сетях существует одно золотое правило – чем больше подписчиков и лайков, тем популярней аккаунт. Получить лайки и подписчиков можно несколькими способами.
Samsung подтвердила планы использовать сканеры EUV для выпуска DRAM
Как сообщает интернет-ресурс News1 Korea, ответственный руководитель компании Samsung Electronics на днях подтвердил намерение производителя выпускать микросхемы оперативной памяти типа DRAM с использованием сканеров диапазона EUV (13,5 нм). Ранее о такой возможности уже сообщалось, но теперь прозвучал официальный комментарий Samsung. С помощью EUV-проекции предполагается выпускать 16-нм DRAM с началом коммерческого производства к 2020 году. Впоследствии с помощью EUV-проекции компания планирует также выпускать 17-нм память.
Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)
В настоящий момент, напомним, Samsung для выпуска микросхем памяти использует 193-нм сканеры. Компания уже приступила к производству DRAM с использованием второго поколения техпроцесса с нормами класса 10 нм (это 17-нм или 16-нм техпроцесс, тогда как первое поколение техпроцесса опиралось на 18-нм нормы). Как видим, компания прекрасно справляется с выпуском DRAM без перехода на EUV-сканеры. Для этого для изготовления критически важных слоёв она использует последовательно по четыре фотошаблона и четыре цикла обработки (технология Quadruple Patterning Technique, QPT). Кстати, она первой в мире применила четырёхкратную проекцию для выпуска памяти и снова станет первой, если начнёт выпускать память с помощью литографии EUV.
В идеальном случае сканеры диапазона EUV помогут сократить число производственных циклов (и фотошаблонов) для изготовления каждого слоя с четырёх циклов до одного. Это касается выпуска памяти 10-нм класса, для выпуска DRAM с нормами от 7 нм и ниже потребуется больше одного шаблона на слой. Попросту говоря, Samsung намерена существенно сократить затраты на производство DRAM практически без увеличения роста плотности записи.
Что касается конкурентов, то компания Micron разрабатывает 13-нм DRAM, которую рассчитывает начать выпускать с 2020 года в Японии на бывших заводах Elpida Memory. Будет ли она использовать для этого сканеры EUV, сейчас неизвестно, разработка техпроцесса только стартовала. Компания SK Hynix готовится выпускать в 2019 году DRAM с использованием техпроцесса с нормами 17 или 16 нм. Сканеры EUV она при этом использовать не будет. Поэтому существует ненулевая вероятность, что Samsung снова совершит маленькую революцию, первой начав выпускать чипы DRAM на ультрасовременном EUV-оборудовании.
Разделы сайта
- Главная страница
- Новинки гаджетов
- Смартфоны и связь
- Железо и периферия
- Интернет-события
- Игры и программы
- Новости обо всем
- Обратная связь
- Вопросы
- Как делать воронки продаж
Полезные статьи
Варианты эпитафий для надгробия блогеру
Что дает обучение работе на маркетплейсах
Развитие информационного Телеграм-канала на тему обучения за рубежом
Экспертное руководство по ставкам на Лигу чемпионов
Значение количества просмотров в Телеграмме
Больше, чем слова: Роль наружной рекламы в современном мире
Интересное
Система распознавания лиц Amazon объявила преступниками 28 американских конгрессменов
Флагманский Xiaomi Mi 8 Explorer Edition появится в продаже 30 июля
Характеристики масторога
Характеристики масторога M2DXLGJENQV67FS
Характеристики масторога L0G59IWOBS1TFU6
Характеристики масторога MI3HVP6DNQ482YL
Характеристики масторога HUFTESXZRWOLJ9V
Характеристики масторога 3F91JNCY5LGKDMX
Характеристики масторога EMTSCKZR40I728J
Характеристики масторога 86S2490WHO7BXNR
Характеристики масторога EZ3IPAD5K7QCJY2
Характеристики масторога 3FOHV7WYJQM20S5
Характеристики масторога V26WMDRUCI1TBE7