Ученые подобрали «электронике будущего» эффективную основу из графена

31.08.2018 13:21

Ученые Донского государственного технического университета (ДГТУ) вместе с коллегами из Вьетнама и Пакистана разработали ультратонкую гетероструктуру графен/g-GaSe (галлий-селен) для производства новейшей электроники, сообщили РИА Новости в пресс-службе ДГТУ.В 2010 году работа по изучению графена — первого в мире материала толщиной в один атом — была отмечена Нобелевской премией по физике. Сегодня графеновые гетероструктуры активно используют как основу для элементов множества электронных устройств (микросхем, транзисторов и так далее).

"Мы реализовали комбинацию электронной структуры графена и графеноподобного монослоя GaSe в ультратонкой гетероструктуре и показали, что ее электронные свойства хорошо сохраняются. В гетероструктуре формируется контакт Шоттки n-типа с высотой барьера Шоттки 0,86 эВ, который может эффективно управляться внешним электрическим полем, внутриплоскостными напряжениями и межслойным взаимодействием", — рассказал профессор кафедры физики ДГТУ Виктор Илясов.

Результаты исследований опубликованы в научных журналах Journal of Alloys and Compounds, Superlattices and Microstructures и Vacuum. По мнению ученых, они важны как для разработки гетероструктур на основе интерфейса графен/g-GaSe, так и для понимания физических свойств двумерных ван-дер-ваальсовских гетероструктур из графена.ДГТУ стал первым вузом России, получившим в феврале 2018 года статус опорного университета региона. Опорный университет должен стать центром инновационного развития Ростовской области.

Источник

Разделы сайта


Полезные статьи

Основную версию аварии «Союза» опровергли

Эксперименты не подтвердили основную версию аварии «Союза», заявил источник

В Астане рассказали о результатах экологических проб после аварии «Союза»

The Economist (Великобритания): В космической гонке одерживают верх новые участники

Инженеры НАСА ликвидировали все проблемы на «Хаббле», заявил ученый

Деформация нанотрубок меняет их электроводимость