Самое обсуждаемое
TikTok – популярная сегодня социальная сеть, где пользователи могут делиться интересными видео, сопровождаемые музыкой, писать друг другу сообщения и проводить прямые эфиры. Как в ТикТок, так и в других социальных сетях существует одно золотое правило – чем больше подписчиков и лайков, тем популярней аккаунт. Получить лайки и подписчиков можно несколькими способами.
В разработке технологий 3D NAND китайцы вышли на мировой уровень
Часто комментарии к новостям из Китая по поводу разработки национальных технологий производства памяти сводятся к тому, что «китайская» память 3D NAND или DRAM не выйдет за пределы страны. Во-первых, кто позволит (патенты и прочее)? Во-вторых, самим, мол, не хватает.
Вопрос с дефицитом производства памяти в Китае должен быть решён в течение следующих пяти лет. Одна только компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) собирается довести объёмы производства 3D NAND до 350–400 тыс. 300-мм пластин в месяц. И на этом ни она, ни другие компании не остановятся, если потребность в продукции будет нарастать.
Образцы 32-слойной 3D NAND YMTC (Tsinghua, CCTV13)
Вопрос с патентами сложнее и проще одновременно. Сложность заключается в разработке и в защите технологий на мировом уровне. Китай новичок на рынке 3D NAND, тогда как мировые лидеры занимаются разработками и производством флеш-памяти NAND порядка трёх десятков лет. Но отставание — это не повод отчаиваться, не так ли? Для правильных парней это лишь предложение мобилизоваться и стать вровень с мировыми лидерами. Что касается простоты, то достаточно посмотреть на молниеносность решения Народного суда в Китае, который в спорной ситуации принял сторону отечественной компании и запретил продажу продукции Micron.
Вчера Китай в лице компании Yangtze Memory Technologies (дочернее предприятие холдинга Tsinghua Unigroup) сделал важное заявление. Впервые в истории представитель китайского производителя флеш-памяти на равных с лидерами отрасли примет участие в ежегодном саммите Flash Memory Summit (2018). И не просто поучаствует в мероприятии, а выступит с докладом, в котором будут раскрыты детали новой архитектуры 3D NAND, способной перевернуть представление о производительности флеш-памяти и памяти типа DRAM.
Исполнительный директор YMTC Саймон Янг (Simon Yang) представит разработанную в Китае технологию Xtacking. Технология обещает «рывком» повысить скорость обмена с микросхемами 3D NAND и сопутствующей I/O-периферией. Это откроет путь для повышения производительности встраиваемой памяти, а также клиентских и серверных SSD до «неслыханного» уровня. Тем самым откроется «новая глава» в производительности NAND-продукции для смартфонов, персональных компьютеров, ЦОД и накопителей корпоративного назначения.
Технология Xtacking опирается на параллельную обработку данных в массивах NAND и периферии. Она приведёт к модульной структуре 3D NAND, что ускорит разработку и появление на рынке новых продуктов. Другие подробности о разработке мы узнаем в десятых числах августа. Пока нам достаточно знать, что Китай в игре.
Разделы сайта
- Главная страница
- Новинки гаджетов
- Смартфоны и связь
- Железо и периферия
- Интернет-события
- Игры и программы
- Новости обо всем
- Обратная связь
- Вопросы
- Как делать воронки продаж
Полезные статьи
Финансовые загадки: как работают микрокредиты на 50000 рублей
Варианты эпитафий для надгробия блогеру
Что дает обучение работе на маркетплейсах
Развитие информационного Телеграм-канала на тему обучения за рубежом
Экспертное руководство по ставкам на Лигу чемпионов
Значение количества просмотров в Телеграмме
Интересное
Система распознавания лиц Amazon объявила преступниками 28 американских конгрессменов
Флагманский Xiaomi Mi 8 Explorer Edition появится в продаже 30 июля
Характеристики масторога
Характеристики масторога M2DXLGJENQV67FS
Характеристики масторога L0G59IWOBS1TFU6
Характеристики масторога MI3HVP6DNQ482YL
Характеристики масторога HUFTESXZRWOLJ9V
Характеристики масторога 3F91JNCY5LGKDMX
Характеристики масторога EMTSCKZR40I728J
Характеристики масторога 86S2490WHO7BXNR
Характеристики масторога EZ3IPAD5K7QCJY2
Характеристики масторога 3FOHV7WYJQM20S5
Характеристики масторога V26WMDRUCI1TBE7