Самое обсуждаемое

TikTok: как накрутить лайки

TikTok – популярная сегодня социальная сеть, где пользователи могут делиться интересными видео, сопровождаемые музыкой, писать друг другу сообщения и проводить прямые эфиры. Как в ТикТок, так и в других социальных сетях существует одно золотое правило – чем больше подписчиков и лайков, тем популярней аккаунт. Получить лайки и подписчиков можно несколькими способами.

Вместо меди кобальт: Applied Materials начала поставки оборудования для выпуска чипов с нормами менее 7 нм

Вместо меди кобальт: Applied Materials начала поставки оборудования для выпуска чипов с нормами менее 7 нм

Впервые за 20 лет грядёт изменение базового материала для контактов транзисторов и внутричиповых соединений (проводников и межслойной металлизации). В 1997 году компания IBM вместо алюминия начала использовать медь, что дало прирост производительности транзисторов сразу на 30 %. С тех пор индустрия использует в чипах медные соединения. Для техпроцессов с нормами менее 10 нм медь уже не так хороша, поскольку её электрические характеристики, в частности — сравнительно малое сопротивление, приближается к пределу физических возможностей этого металла.

Составные части производственной платформы Applied Materials для работы с кобальтом вместо меди

По мере уменьшения размера элементов сопротивление сечения контакта становится слишком велико, чтобы удержать токовые характеристики транзисторов на заданном уровне и, что более важно, ведёт к разбросу параметров транзисторов и к непредсказуемости поведения чипов. Считается, что для меди предел ширины контактной линии равен 12 нм, что соответствует техпроцессу с нормами 3 нм. Контактная линия становится шероховатой (переменной ширины) и вносит в электрические параметры чипов фактор случайности. В качестве альтернативы медным соединениям индустрия видит кобальт, рутений или графен. Институт Imec, например, рассматривает все три варианта для использования с техпроцессами от 3 нм и ниже.

Теория — это хорошо, но практики добрались до 10 нм и начинают осваивать выпуск 7-нм решений. Помочь с устранением «бутылочного горлышка» в виде медных соединений, которые начинают тормозить рост производительности транзисторов, решительно взялась компания Applied Materials. Официальным пресс-релизом Applied Materials сообщила, что она начала поставки промышленного оборудования для выпуска чипов с нормами менее 7 нм с использованием кобальта вместо меди. Замена металлизации из вольфрама и меди в чипах на кобальт позволит увеличить производительность транзисторов на 15 %. По словам компании, это продлит закон Мура и позволит приблизить эру ИИ и Больших Данных.

Вместо меди кобальт: Applied Materials начала поставки оборудования для выпуска чипов с нормами менее 7 нм

Пример платформы Applied Materials Endura для обработки кремниевых пластин

Компания Applied Materials предлагает весь спектр оборудования для работы с кобальтом. Это фирменная платформа Endura, в которую входит оборудование для предварительной сухой очистки кремниевых пластин, камеры вакуумного осаждения из паровой среды и химического осаждения, а также установки для создания атомарных слоёв и последующей полировки пластин. Также набор оборудования для работы с кобальтом включает печи для отжига слоёв (платформа Producer), установки для полировки Reflexion LK Prime CMP и платформу PROVision для проверки качества готового изделия. Всё это замечательно. Настораживает только то, что кобальт существенно дороже меди и пользуется огромной популярностью среди производителей аккумуляторных батарей. Как бы кобальтовые соединения не стали «золотыми».

Источник

Разделы сайта


Полезные статьи

Больше, чем слова: Роль наружной рекламы в современном мире

Деньги в долг на карту онлайн: удобство и риски

Создание мобильного приложения: как сделать качественно

Ставки на электронные виды спорта: новая волна популярности и возможности для букмекеров

Денежные ящики - защита и эффективное управление наличными

Электрокары - следующий шаг в прогрессе

Отчеты по Википедии


Характеристики масторога

Характеристики масторога M2DXLGJENQV67FS

Характеристики масторога L0G59IWOBS1TFU6

Характеристики масторога MI3HVP6DNQ482YL

Характеристики масторога HUFTESXZRWOLJ9V

Характеристики масторога 3F91JNCY5LGKDMX

Характеристики масторога EMTSCKZR40I728J

Характеристики масторога 86S2490WHO7BXNR

Характеристики масторога EZ3IPAD5K7QCJY2

Характеристики масторога 3FOHV7WYJQM20S5

Характеристики масторога V26WMDRUCI1TBE7