Самое обсуждаемое

TikTok: как накрутить лайки

TikTok – популярная сегодня социальная сеть, где пользователи могут делиться интересными видео, сопровождаемые музыкой, писать друг другу сообщения и проводить прямые эфиры. Как в ТикТок, так и в других социальных сетях существует одно золотое правило – чем больше подписчиков и лайков, тем популярней аккаунт. Получить лайки и подписчиков можно несколькими способами.

За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн

За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в $400 млн

По данным источников, в Федеральном суде Техаса жюри присяжных вынесло вердикт о виновности компании Samsung в патентом споре с южнокорейским институтом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Американское подразделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе подало иск против Samsung о нарушении правил лицензирования передовых технологий. В частности, Samsung якобы незаконно воспользовалась разработками института в области создания вертикальных затворов транзисторов (FinFET).

Структура типичного FinFET транзистора (WikiChip)

По мнению жюри, Samsung незаконно и умышленно использовала разработки KAIST, за что должна выплатить институту $400 млн. Вместе с Samsung первоначально обвинения были выдвинуты против компаний GlobalFoundries и Qualcomm. Первая была виновна в лицензировании технологии производства с использованием FinFET у компании Samsung, а вторая заказывала продукцию у южнокорейского полупроводникового гиганта. По мнению жюри, GlobalFoundries и Qualcomm в данном случае считаются невиновными.

Иск против Samsung был подан в декабре 2016 года. Представители института заявляли, что Samsung в своё время считала технологию FinFET пустой тратой времени и заинтересовалась ею только тогда, когда компания Intel запатентовала собственные разработки в этой области и начала распространять лицензии на использование вертикальных транзисторных структур.

За использование FinFET-транзисторов Samsung должна уплатить штраф в 0 млн

https://ru.wikipedia.org

Нам всё это кажется высосанным из пальца, поскольку технологиями FinFET плотно занимались все производители ещё с начала «нулевых» годов. Так, одной из первых опытный выпуск FinFET-структур в 2002 году начала компания AMD на базе центра Калифорнийского университета в Беркли (привет из прошлого компании GlobalFoundries). В этом же году на конференции IEDM о FinFET-транзисторах из трёх рёбер рассказала компания Intel, а IBM сделала доклад на тему вертикальных транзисторных каналов. Компания TSMC также с группой учёных в том же Калифорнийском университете создавала свои FinFET-структуры. Компания Samsung позже включилась в этот процесс, но она активно работала с исследователями IBM, и ей не нужны были разработки KAIST. Собственно, Samsung собирается подать апелляцию на судебное решение, принятое в Техасе.

Источник

Разделы сайта


Полезные статьи

Для чего нужны медицинские увлажнители кислорода?

Съемные квартиры в Екатеринбурге на разные вкусы и возможности

777 Original - принцип участия в закрытых мероприятиях и все, что нужно знать про особенности проведения платежных операций

Играйте в казино Вулкан Stars

Преимущества игры в мобильной версии казино

Скачать мобильную версию казино Император

Отчеты по Википедии


Характеристики масторога

Характеристики масторога M2DXLGJENQV67FS

Характеристики масторога L0G59IWOBS1TFU6

Характеристики масторога MI3HVP6DNQ482YL

Характеристики масторога HUFTESXZRWOLJ9V

Характеристики масторога 3F91JNCY5LGKDMX

Характеристики масторога EMTSCKZR40I728J

Характеристики масторога 86S2490WHO7BXNR

Характеристики масторога EZ3IPAD5K7QCJY2

Характеристики масторога 3FOHV7WYJQM20S5

Характеристики масторога V26WMDRUCI1TBE7