Ученые подобрали «электронике будущего» эффективную основу из графена

Ученые Донского государственного технического университета (ДГТУ) вместе с коллегами из Вьетнама и Пакистана разработали ультратонкую гетероструктуру графен/g-GaSe (галлий-селен) для производства новейшей электроники, сообщили РИА Новости в пресс-службе ДГТУ.В 2010 году работа по изучению графена — первого в мире материала толщиной в один атом — была отмечена Нобелевской премией по физике. Сегодня графеновые гетероструктуры активно используют как основу для элементов множества электронных устройств (микросхем, транзисторов и так далее).

"Мы реализовали комбинацию электронной структуры графена и графеноподобного монослоя GaSe в ультратонкой гетероструктуре и показали, что ее электронные свойства хорошо сохраняются. В гетероструктуре формируется контакт Шоттки n-типа с высотой барьера Шоттки 0,86 эВ, который может эффективно управляться внешним электрическим полем, внутриплоскостными напряжениями и межслойным взаимодействием", — рассказал профессор кафедры физики ДГТУ Виктор Илясов.

Результаты исследований опубликованы в научных журналах Journal of Alloys and Compounds, Superlattices and Microstructures и Vacuum. По мнению ученых, они важны как для разработки гетероструктур на основе интерфейса графен/g-GaSe, так и для понимания физических свойств двумерных ван-дер-ваальсовских гетероструктур из графена.ДГТУ стал первым вузом России, получившим в феврале 2018 года статус опорного университета региона. Опорный университет должен стать центром инновационного развития Ростовской области.

Источник

Читайте также

• Geforce Rtx 5090 не снята с производства, но видеокарту трудно найти в продаже
• Зеленский оценил запас боеприпасов для F-16 и сообщил о новых контрактах
• Oneplus nord 6: мощное железо и высокая автономность для активного использования
• Пелагея рассказала об аресте имущества Ивана Телегина на 71 млн рублей
• Марта Адамчук прокомментировала уход коллег из «Квартала 95»: «Это был вопрос времени»